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SK Hynix va augmenter massivement ses capacités de production. Le groupe sud-coréen a en effet décidé d’investir 54,3 billions de wons, soit environ 38,3 milliards de dollars (33,2 milliards d’euros), dans deux nouvelles installations dédiées à la DRAM, à la mémoire HBM et au stockage NAND. Un pari colossal qui semble acter la poursuite du boom des infrastructures d’IA.
Le premier investissement, évalué à 35,2 billions de wons, concerne la deuxième phase de construction d’une usine située dans le gigantesque complexe de Yongin. Cette installation produira notamment de la mémoire HBM utilisée par les accélérateurs pour data centers. Sa construction débutera en juillet 2027, avec une première salle blanche opérationnelle au mois de juin 2029.

SK Hynix consacrera parallèlement 19,1 billions de wons à l’usine M17 de Cheongju, destinée principalement à la mémoire NAND. Sa première salle blanche doit entrer en service dès le mois de décembre 2028.
Cette expansion intervient alors que SK Hynix profite d’une envolée historique grâce à la demande en HBM. Avec Samsung et Micron, le fabricant bénéficie directement des investissements records dans les data centers.
Cette priorité donnée à l’IA entretient toutefois la pénurie de RAM qui frappe les produits grand public. Les conséquences sont déjà visibles : la mémoire représente jusqu’à 35 % du coût matériel de certains PC HP, tandis que Samsung a prévenu d’une hausse des prix des smartphones et ordinateurs.
Ces nouvelles capacités ne permettront donc pas de soulager rapidement le marché. Leur mise en production n’interviendra qu’à partir de 2028-2029, et la croissance de la demande pourrait continuer à dépasser celle de l’offre. SK Hynix parie clairement sur une pénurie durable plutôt que sur un ralentissement prochain de l’IA.
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