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Qualcomm dévoile son Snapdragon 835 à la finesse de gravure de 10nm
Qualcomm vient de dévoiler le Snapdragon 835, son nouveau processeur gravé à 10nm grâce à la technologie FinFET. Samsung se chargera de fabriquer en grande série cette nouvelle puce mobile qui surclassera sans problèmes le Snapdragon 821. La différence de performance n’est cependant pas exceptionnelle puisque Qualcomm annonce 27% de performances en plus, 40% de consommation énergétique en moins, et 30% de gain d' »espace ». Les avancées en terme de consommation promettent cependant des smartphones toujours plus autonomes, ce qui ne sera pas du luxe étant donné que la quasi totalité des mobiles haut de gamme n’atteignent pas les 2 jours d’autonomie sans recharge.
TSMC travaille aussi de son côté sur des process de fabrication en 10 nm, mais Samsung sera donc bien le premier à produire le 835 en série, ce qui démontre l’expertise du sud-coréen concernant la fabrication de puces mobiles de plus en plus compactes.
Samsung oblige donc, le Galaxy S8 devrait être l’un des tous premiers appareils mobiles à bénéficier de cette nouvelle puce. Il faudra donc attendre mars/avril pour en savoir plus sur les performances en situation « réelle » de cette nouvelle puce.
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