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Le diamant, matériau le plus conducteur thermique connu à ce jour — jusqu’à 2 200 à 2 400 W/m·K à température ambiante — pourrait être un candidat de choix pour le rafraîchissement des composants électroniques. Des chercheurs de l’université de Stanford affirment en effet pouvoir placer un revêtement polycristallin ultrafin de diamant directement sur des transistors, et ce à une température compatible avec la fabrication CMOS. “Nous pouvons maintenant faire pousser une forme de diamant adaptée pour évacuer la chaleur, directement au-dessus des dispositifs, à une température assez basse pour que les interconnexions délicates des circuits avancés survivent.” explique l’équipe de recherche à l’origine de cette invention.

Plutôt que de laisser la chaleur s’accumuler puis la dissiper, ce procédé répartit la chaleur dès l’origine du circuit. Sur des transistors au nitrure de gallium, cette approche a fait chuter la température de plus de 50 °C (!), ce qui a permis d’obtenir un énorme gain de performances. In fine, le diamant peut être utilisé comme une sorte de « spa thermique » ultra-efficace, tout en restant électriquement isolant.
Produire du diamant à haute conductivité pour l’électronique a longtemps été un défi en raison des hautes températures nécessaires (> 1 000 °C). Aujourd’hui, ce procédé de production nécessite une température avoisinant les 400 °C, ce qui rend sa mise en œuvre possible au sein d’une puce. La complexité de l’intégration reste extrêmement importante : interfaces, compatibilité CMOS, grains polycristallins sont autant d’obstacles à optimiser. Avec l’essor de l’IA, du calcul 3-D et des densités « transistorales » record, les industriels comme Samsung et TSMC surveillent de près cette avancée. Une révolution thermique est peut-être à portée de main, et avec elle la perspective de puces toujours plus puissantes. le diamant pourrait enfin résoudre une des grandes limites de l’électronique moderne.
SOURCESpectrum.ieee
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