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Samsung commence la production de DDR3 gravée en 20nm

12 Mar. 2014 • 17:21
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Samsung a débuté la production en masse de puces de mémoire DDR3 gravées en 20 nanomètres. Une prouesse qui permet, selon le fabricant, d’améliorer le rendement de production de 30% par rapport aux modules DDR3 en 25 nanomètres et deux fois supérieure à celle en 30 nanomètres. Le sud-coréen ajoute que l’efficacité énergétique de ces nouveaux modules était 25% plus élevée que les modèles précédents. Le tout sans changer les appareillages qui auparavant fabriquaient de la mémoire en 25nm.

30nm-ddr3
Cette nouvelle génération de puces devrait donc permettre à la firme sud-coréenne d’améliorer sa rentabilité sur ce marché très concurrentiel et où les marges sont réduites depuis plusieurs années.

Samsung a indiqué que le marché mondial des DRAM devrait atteindre 37,9 milliards de dollars en 2014, en hausse de 6,4% par rapport aux 35,6 milliards enregistrés l’année dernière.

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