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Toshiba et SanDisk travaillent sur une mémoire flash de 1 TB

19 Mai. 2014 • 20:04
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Voilà qui devrait avoir de fortes incidences sur les capacité de stockage de nos futurs smartphones. Toshiba et SanDisk viennent de renforcer leur joint-venture, à hauteur de 4,84 milliards de dollars, afin de finaliser la production d’ici 2019 de modules de mémoire Flash d’une capacité de 1TB. 1TB, dans un espace à peine plus épais qu’un ongle, et guère plus long.
Ces 5 ans d’attente correspondent à la mise en place de nouvelles usines de production, les actuelles unités ne disposant pas des machines capables de fondre des puces NAND à la finesse requise. Surtout, ces mémoires très hautes capacités sont basées sur une architecture 3D radicalement différente de ses prédécesseurs.

3d-memory-nand

Histoire de ne rien arranger, Toshiba ne dispose pas de la surface nécessaire pour implanter une usine flambant neuve, ce qui va obliger le fabricant à détruire l’une de ses usines actuelles avant de commencer le travail de construction. 5 ans ne seront donc pas de trop. Ce retard de 5 ans n’est de toute façon pas grand chose au regard du bond technologique que ces nouvelles puces NAND promettent. Imaginez, après-demain donc, le prochain iPhone 11 doté d’une capacité de 1TB, de quoi stocker des jeux puissants, des vidéos hautes-définition et des milliers de morceaux de musique, le tout dans un seul et même appareil ultra portable que l’on mettre (?) dans sa poche.

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