Dès lors qu’il s’agit de puces mémoire, Samsung n’a pas vraiment de concurrence : le géant sud-coréen démontre une nouvelle fois son avance technologique sur le secteur en annonçant un module DDR5 d’une capacité de 512 Go de RAM ! Mieux encore, ce module peut grimper à la fréquence de 7200 MHz, ce qui le rendrait bien plus performant que les meilleures solutions en DDR4.
Mais comment Samsung a t-il fait pour caser 512 Go sur un module aussi compact ? L’explication est plutôt technique : 8 dies de DD5 ont été empilés et interconnectés en TSV (through-silicon-via). 8 dies empilés, c’est tout simplement du jamais vu en terme d’intégration de composants : l’ancien record était de 4 dies empilés pour un module en DDR4. Malgré cet empilement massif, le module ne fait qu’1 mm d’épaisseur, contre 1,2 mm pour le DDR4, un « exploit » dû à un nouveau système de wafers permettant de réduire de 40% l’espace entre chaque dies.
Comme si cela ne suffisait pas, Samsung a agrémenté son module de technos innovantes, à l’instar du SBR (Same-Bank Refresh), qui permet d’obtenir un bus DRAM 10% plus rapide. Comme on peut s’en douter en revanche, ce module DDR5 de 512 Go se destine prioritairement aux serveurs des fermes de données et autres datas centers. Le DDR5 « 512 Go » de Samsung devrait arriver sur le marché d’ici 2023-2024.
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