TENDANCES
Comparateur
- AUTO
Dès lors qu’il s’agit de puces mémoire, Samsung n’a pas vraiment de concurrence : le géant sud-coréen démontre une nouvelle fois son avance technologique sur le secteur en annonçant un module DDR5 d’une capacité de 512 Go de RAM ! Mieux encore, ce module peut grimper à la fréquence de 7200 MHz, ce qui le rendrait bien plus performant que les meilleures solutions en DDR4.
Mais comment Samsung a t-il fait pour caser 512 Go sur un module aussi compact ? L’explication est plutôt technique : 8 dies de DD5 ont été empilés et interconnectés en TSV (through-silicon-via). 8 dies empilés, c’est tout simplement du jamais vu en terme d’intégration de composants : l’ancien record était de 4 dies empilés pour un module en DDR4. Malgré cet empilement massif, le module ne fait qu’1 mm d’épaisseur, contre 1,2 mm pour le DDR4, un « exploit » dû à un nouveau système de wafers permettant de réduire de 40% l’espace entre chaque dies.
Comme si cela ne suffisait pas, Samsung a agrémenté son module de technos innovantes, à l’instar du SBR (Same-Bank Refresh), qui permet d’obtenir un bus DRAM 10% plus rapide. Comme on peut s’en douter en revanche, ce module DDR5 de 512 Go se destine prioritairement aux serveurs des fermes de données et autres datas centers. Le DDR5 « 512 Go » de Samsung devrait arriver sur le marché d’ici 2023-2024.
SOURCETom's Hardware
Free rend aujourd’hui disponible la mise à jour 4.9.2 qui concerne ses Freebox Révolution, Pop, Delta et Ultra. Il y a une...
OpenAI a commencé à déployer une nouveauté en ce qui concerne la fonction de mémoire dans ChatGPT, conçue pour...
À partir de septembre 2025, tous les collèges de France devront appliquer une interdiction stricte des téléphones portables et...
Bethesda lance la grosse machine marketing pour The Outer Worlds 2. Le jeu sera présenté en détail lors d’un stream live...