Samsung vient d’annoncer le lancement de la production en masse de modules de « 3D Vertical NAND Flash », c’est à dire de la mémoire empilée sur plusieurs couches. Jusqu’ici, les modules de mémoire que nous connaissons utilisaient des structures en deux dimensions. Les progrès en matière de semi-conducteurs, que ce soit pour des processeurs ou pour de la mémoire, reposaient principalement sur la réduction des finesses de gravure. Mais alors qu’ils approchent des 10 nm, les fabricants sont confrontés à des limitations physiques.
Grâce à cet nouvelle approche, la « V-NAND » permettra une meilleure fiabilité, de meilleurs débits, et surtout de plus grandes capacités. Sur le papier, la V-NAND est très intéressante : selon Samsung ses puces seront entre 2 et 10 fois plus fiables que la mémoire NAND actuelle. Et parallèlement, les débits seraient doublés.
Dans un premier temps, Samsung produira des puces à deux couches de 1 Tb (128 Go), mais son procédé lui permettra à terme d’empiler jusqu’à 24 couches !
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