Samsung Electronics aurait accepté de fabriquer chez TSMC les dies de base en 3 nm destinés à la mémoire NVHBM de Nvidia, selon le Seoul Economic Daily, une information reprise par Reuters. Si elle se confirme, cette coopération serait inhabituelle : Samsung produirait les couches de mémoire tout en confiant à son grand rival taïwanais la logique qui les coordonne. La décision montrerait surtout jusqu’où Nvidia veut standardiser un composant devenu essentiel à ses accélérateurs d’intelligence artificielle.
NVHBM ajoute une logique Nvidia sous la pile de mémoire
La mémoire HBM empile plusieurs dies de DRAM et les relie par des connexions verticales. Placée au plus près du processeur, elle fournit une bande passante très supérieure à celle de modules classiques. Son die de base, situé sous la pile, organise les communications et certaines fonctions de contrôle. Ce composant logique devient plus important à mesure que les débits, les interfaces et les besoins de gestion augmentent.
Nvidia a présenté NVHBM en août comme une mémoire à large bande personnalisée intégrant son propre contrôleur dans ce die de base. Le groupe veut que Samsung, SK Hynix et Micron puissent fournir les dies mémoire, tandis qu’un socle logique commun assurerait un comportement plus homogène. Pour Nvidia, la standardisation peut faciliter la qualification de plusieurs fournisseurs et réduire les différences au moment d’intégrer les piles aux futurs accélérateurs.
D’après le reportage sud-coréen, Nvidia aurait demandé aux trois fabricants d’utiliser TSMC pour produire cette base et leur procédé de sixième génération pour les dies DRAM. Samsung aurait accepté après un examen interne. Reuters n’a pas pu obtenir de confirmation immédiate des entreprises concernées ; il s’agit donc d’un plan rapporté, pas d’une annonce contractuelle officielle.
Pourquoi Samsung ferait appel à son rival TSMC
Samsung possède ses propres activités de fonderie et sait fabriquer des circuits logiques avancés. Le groupe produit d’ailleurs un die de base en 4 nm pour sa HBM4 standard. Employer le procédé 3 nm de TSMC pour NVHBM ne signifierait pas l’abandon de cette capacité. Le modèle personnalisé de Nvidia impose un design, une chaîne de qualification et probablement des volumes communs aux différents fournisseurs de mémoire.
Centraliser la logique chez TSMC peut réduire une variable. Si les piles de Samsung, SK Hynix et Micron reposent sur une base fabriquée au même endroit, Nvidia contrôle plus précisément les caractéristiques électriques et les interfaces. La concurrence se déplace alors vers la qualité des dies DRAM, l’assemblage, le rendement et la capacité à livrer. Pour Samsung, accepter ce schéma peut être le prix d’accès à un marché à très forte croissance.
La décision serait néanmoins symbolique, car Samsung et TSMC se disputent les commandes de fonderie les plus avancées. Elle intervient au moment où les activités mémoire de Samsung profitent de la demande liée à l’IA. Une collaboration ponctuelle sur NVHBM permettrait au groupe coréen de vendre davantage de mémoire sans attendre que son propre procédé logique soit retenu par Nvidia.
Une chaîne industrielle encore plus imbriquée
La fabrication d’une pile HBM ne se limite pas à produire deux types de puces. Les dies DRAM sont testés, amincis, empilés et reliés ; la base logique doit ensuite fonctionner avec l’ensemble, qui est intégré dans un boîtier complexe à proximité du GPU. Chaque étape a ses propres rendements. Un défaut sur un élément coûte cher, car il peut condamner une pile composée de plusieurs dies de valeur.
Le recours à TSMC ajoute des dépendances logistiques, mais il peut aussi sécuriser un écosystème commun. Les capacités de procédés avancés sont déjà très demandées, comme le rappelle la tension sur les machines nécessaires aux puces de prochaine génération. Le reportage indique que Samsung pourrait réévaluer l’emploi de sa propre fonderie si la capacité de TSMC devenait insuffisante. Cette éventualité souligne qu’aucune source unique n’est sans risque.
Pour les clients de Nvidia, l’intérêt potentiel est une offre plus abondante et interchangeable. En pratique, les mémoires de plusieurs fournisseurs ne deviennent pas identiques du jour au lendemain. Elles doivent satisfaire les mêmes spécifications, passer des tests thermiques et électriques et être validées dans les systèmes complets. La base commune peut raccourcir une partie de ce travail, mais elle n’efface pas les différences de rendement ou de calendrier.
Ce que Samsung continuerait à produire en interne
Samsung conserverait sa propre fonderie pour la HBM standard et pour les produits personnalisés d’autres clients. Le choix de TSMC serait ainsi limité au programme NVHBM demandé par Nvidia. Cette nuance est importante : elle décrit une adaptation commerciale à un cahier des charges précis, et non une décision générale de sous-traiter les dies de base du groupe.
Aucune date de production en volume, aucun prix et aucun objectif de capacité n’ont été communiqués. Nvidia a dévoilé le concept NVHBM en août, mais les futurs produits qui l’utiliseront et leur calendrier exact restent à préciser. La prochaine preuve décisive sera donc une confirmation des trois entreprises ou une qualification annoncée par Nvidia, car le reportage actuel ne permet pas encore de savoir quand les premières piles assemblées avec une base TSMC sortiront des lignes.
