Samsung pousse la technologie DRAM dans ses retranchements; le fabricant de semi-conducteurs vient d’annoncer qu’il avait réussi à mettre au point le premier prototype de module DRAM LPDDR5 à 8Gbit. L’objectif est de parvenir à une puce DRAM capable de fournir un débit de 6.4Gbps, tout en consommant 30% d’énergie en moins (par rapport à la génération actuelle de puce DRAM).
La bande passante de cette nouvelle génération de puce DRAM LPDDR5 serait donc 50% supérieure à celle des puces de génération LPDDR4 (4.266Gbps). Cela signifie aussi que l’on est en droit d’attendre des débits mémoire de 50GB/sec sur un smartphone haut de gamme (bus mémoire 64 bits) et des débits de 100GB/sec sur un PC (bus mémoire 128 bits).
Ce surcroit de puissance et de performances globales pourrait jouer un facteur clef dans le développement de puces dédiées pour l’IA, un type de composants qui se développe de plus en plus sur smartphone, l’objectif étant de réduire les accès vers le serveur (ce qui pose des problématiques de gestion des données personnelles). Les puces LPDDR5 permettront aussi un plus haut niveau de parallélisme dans le traitement des tâches, de quoi rapprocher toujours plus le smartphone d’un petit ordinateur de poche.
