Des détails précis au sujet du processeur mobile Snapdragon 835 vont être dévoilés à l’occasion du CES prévu en janvier. Pour rappel, ce processeur sera présent dans les smartphones haut de gamme de 2017, il succédera au Snapdragon 820 et Snapdragon 821 qui ont été utilisés cette année.
Quand Qualcomm a officialisé le processeur qui sera gravé en 10 nm, peu de détails ont été partagés, si ce n’est une meilleure rapidité (évidemment) et une meilleure consommation de l’autonomie (là encore, évidemment). Nous savons déjà qu’il y aura Quick Charge 4.0, ce qui permettra aux smartphones équipés du processeur d’avoir 5 heures d’autonomie avec seulement 5 minutes de recharge. Il s’agit de résultats théoriques, il faudra voir dans les faits.
En janvier, Qualcomm en dira donc un peu plus sur les détails techniques de son processeur. Ils sont attendus pour voir s’il y a réellement une différence par rapport au Snapdragon 820 ou Snapdragon 821 qui est une version légèrement améliorée du premier.
Qualcomm a déjà fait savoir que la production du Snapdragon 835 avait démarré pour une disponibilité au cours du premier trimestre de 2017. Le premier smartphone qui devrait en être équipé sera probablement le Galaxy S8 (dans certaines régions) ou le LG G6.
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