Des chercheurs américains viennent de mettre au point une toute nouvelle technique de gravure pour la mémoire flash Nand. Appliquée à une échelle industrielle, cette innovation devrait largement améliorer la rapidité et la précision du processus de fabrication des SSD ou des cartes mémoire, mais aussi la capacité de ces systèmes de stockage ! Avec la généralisation de la 3D Nand, technologie qui consiste à empiler plusieurs centaines de couches pour augmenter la capacité de stockage, la complexité de fabrication devient en effet un défi majeur. Les scientifiques de l’université du Colorado et du laboratoire de Princeton ont donc choisit une approche « cryogénique » à base de fluorure d’hydrogène au lieu des gaz traditionnels, un procédé qui permet une meilleure gravure des couches alternées de dioxyde et de nitrure de silicium.
Grâce à cette nouvelle méthode, la vitesse de gravure a été doublée, soit 640 nanomètres par minute, et mieux encore, le procédé de gravure en lui-même a gagné en qualité et fiabilité. Ces résultats permettent d’envisager des systèmes de stockage avec une plus grande densité de données (le point bloquant étant aujourd’hui la fiabilité des procédés actuels de gravure, qui génèreraient trop de rebuts avec une densité plus élevée). Des tests avec du trifluorure de phosphore ont même permis de quadrupler la vitesse de gravure des couches de dioxyde de silicium. L’adoption de cette technologie à une échelle industrielle pourrait cependant être freinée par la toxicité et la corrosivité du fluorure d’hydrogène, avec le risque d’endommager des équipements de production hors de prix.
