Voilà qui devrait améliorer sensiblement les performances de nos smartphones (et autres) dans le futur : Intel et Micron viennent d’annoncer dans un communiqué enthousiaste la création d’une nouvelle technologie de stockage baptisée 3D XPoint, qui afficherait des performances de tout premier plan en étant jusqu’à 1000 fois plus rapide que la mémoire flash (mazette !). « 3D XPoint est la première réelle nouveauté depuis plus de 25 ans dans le domaine des technologies de mémoire » affirme en toute modestie Intel; il est vrai que ce qui est présenté a de quoi faire ouvrir des yeux tout rond, car outre les performances en vitesse de transfert et de lecture de données le 3D XPoint serait aussi 1000 fois plus endurant. Une unité de stockage pour le futurs Terminators en somme…
L’accès aux données serait ici de l’ordre de la nanoseconde (vous avez bien lu…), de quoi ne plus jamais avoir à pester contre un accès disque trop long. Intel explique aussi pourquoi le nom de sa technologie n’a pas été choisi au hasard : le 3D XPoint est en fait une structure en 3 dimensions composée de « world lines » et de « bit lines », un peu à la façon de la NAND 3D de Samsung, sauf qu’ici le procédé est encore plus complexe…et beaucoup plus performant.
Dans un premier temps, cette technologie de stockage sera réservée aux transactions financières ou à la recherche génétique par exemple, mais Intel avertit déjà que le grand public pourra en profiter dès 2016, sans doute sous la forme d’une unité de stockage externe (et en 2017 dans nos smartphones ?) qui sera, selon le fondeur américain, « abordable« . Alléchant !
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Comme l’ensemble des mémoires ou processeurs actuels et même antérieur.