Samsung ne cesse de faire progresser les technologies de mémoire flash. Le géant des semi-conducteurs vient de dévoiler le SZ985, le premiers système de stockage basé sur de la mémoire flash de type Z-NAND, un dérivé du 3D NAND. Le SZ985 est présenté comme un SSD NVMe à haute performance, haute endurance, et bien sur destiné avant tout aux entreprises.
Le premier prototype de ce type de mémoire a été présenté en 2016, mais Samsung passe aujourd’hui un cap avec un produit commercialisable disponible en deux capacités de stockage de 240 Go et 800 Go. Peu d’informations techniques ont été livrées par Samsung, si ce n’est que le SZ985 est doté de 1,5Go de DRAM LPDDR4. Tout de même… Quant aux performances brutes, elles sont bien sûr redoutables : 750 K d’IOPS en lecture (ce qui est loin au dessus des 550 K de l’Optane SSD DC P4800X d’Intel) et 170K d’IOPS en écriture.
En outre, Samsung affirme que les performances en lecture de sa mémoire Z-NAND sont 10 fois supérieures à celles de la 3D TLC NAND (qui est déjà une technologie Samsung). Le SZ985 sera présenté plus en détail lors de l’International Solid-State Circuits Conference qui se tiendra du 11 au 15 février prochain.
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