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Samsung commence la production de DDR3 gravée en 20nm

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Samsung a débuté la production en masse de puces de mémoire DDR3 gravées en 20 nanomètres. Une prouesse qui permet, selon le fabricant, d’améliorer le rendement de production de 30% par rapport aux modules DDR3 en 25 nanomètres et deux fois supérieure à celle en 30 nanomètres. Le sud-coréen ajoute que l’efficacité énergétique de ces nouveaux modules...

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